我国**电子级高纯纯硅**量产技术实现重大突破 打破海外长期垄断

近日，中国电子材料行业协会联合国内半导体材料攻关团队发布公告，我国自主研发的12N（纯度99.9999999999%）电子级纯硅全链条量产工艺正式通过验证，首批下线产品的杂质管控、晶体稳定性等27项核心指标均达到国际一流水平。 这是我国在高端半导体基础材料领域取得的里程碑式突破，结束了该类材料长达十余年完全依赖进口的历史。

电子级纯硅是先进制程芯片制造、高效光伏电池生产、高端航空传感器研发的核心基础材料，其纯度直接决定了终端电子器件的性能上限。 此前全球仅3家海外企业掌握12N级纯硅的量产技术，我国每年需花费超220亿元进口该类高端材料，且供货常受海外出口管制政策限制，国内半导体、新能源产业的供应链安全长期面临风险。

本次技术攻关由中科院上海硅酸盐研究所牵头，联合国内5家半导体材料头部企业历时7年完成，先后突破了多级精馏提纯、痕量杂质精准过滤、大尺寸单晶生长等13项“卡脖子”技术，全生产流程实现100%国产化。 目前配套量产线已具备年产1800吨12N级纯硅的产能，可覆盖国内当前35%的高端纯硅需求，预计2026年产能将提升至5000吨，实现国内需求完全自足。

中国电子材料行业协会分析师表示，本次纯硅技术突破预计可使国内相关产业的原材料采购成本下降40%以上，同时为我国14nm以下先进制程芯片研发、N型高效光伏产业升级提供稳定的材料支撑。 后续攻关团队还将进一步迭代提纯工艺，拓展高纯纯硅在量子计算、深空探测等前沿领域的应用场景。